KDZW-II智(zhi)能蓄(xu)電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi)產品簡(jian)介(jie) Product Introduction 智(zhi)能蓄(xu)電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi)是用(yong)於(yu)測量電(dian)池(chi)內部(bu)阻(zu)抗和(he)電(dian)池(chi)酸化(hua)薄(bo)膜(mo)破(po)損(sun)程(cheng)度的(de)儀(yi)器。該儀(yi)表(biao)通過在(zai)線(xian)測試，能顯(xian)示(shi)並記(ji)錄(lu)單(dan)節(jie)或(huo)多(duo)組(zu)電(dian)池(chi)的(de)電(dian)壓、內阻(zu)、容量等(deng)重要參(can)數(shu)，精確有(you)效(xiao)地(di)挑出(chu)落(luo)後電(dian)池(chi)，並可與計(ji)算(suan)機及電(dian)池(chi)數(shu)據(ju)管理(li)軟(ruan)件產(chan)生測試報告(gao)，跟蹤電(dian)池(chi)的(de)衰(shuai)變趨勢，並提供維(wei)護(hu)建(jian)議。適(shi)用與(yu)通訊基(ji)站、變電(dian)站、UPS的(de)蓄電(dian)池(chi)的(de)維(wei)護(hu)

KDZW-II蓄電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi)產品簡(jian)介(jie) Product Introduction 蓄電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi)主要(yao)用(yong)來(lai)測(ce)試蓄電(dian)池(chi)內阻(zu)，通(tong)過內阻(zu)值(zhi)來(lai)評(ping)估(gu)蓄電(dian)池(chi)好(hao)壞(huai)，從(cong)而(er)作為(wei)蓄(xu)電(dian)池(chi)管理(li)參考依據。

HTBT-8650蓄電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi) 蓄電(dian)池(chi)內阻(zu)測(ce)試儀(yi)用於(yu)測量電(dian)池(chi)內部(bu)阻(zu)抗和(he)電(dian)池(chi)酸化(hua)薄(bo)膜(mo)破(po)損(sun)程(cheng)度的(de)儀(yi)器 參(can)考標(biao)準：DL/T849.4-2004 采(cai)用(yong)3.5寸(cun)TFT（320×240）真彩液晶(jing)顯示(shi)屏 能(neng)夠很(hen)好(hao)地(di)反映(ying)電(dian)池(chi)歐姆電(dian)阻(zu)、化(hua)學電(dian)阻(zu) 直(zhi)觀(guan)、快(kuai)捷、方便(bian)的(de)人(ren)機(ji)界面(mian) 支(zhi)持USB和(he)U盤(pan)讀(du)寫測(ce)試報告(gao)，方便(bian)試驗數(shu)據(ju)的(de)拷貝(bei)整(zheng)理(li)