HDYM-330C激(ji)光鹽密灰密測(ce)試(shi)儀(yi)

壹、產(chan)品概述

1.1  引言

在(zai)電(dian)網(wang)系(xi)統(tong)中，電(dian)壓等級(ji)高、輸送容量(liang)大的變(bian)電(dian)站(zhan)和(he)輸電線(xian)路起(qi)著(zhe)十分(fen)重要的作(zuo)用。而在(zai)輸電線(xian)路經(jing)過的(de)地(di)區，工業(ye)汙(wu)穢、海風(feng)的鹽霧(wu)、空氣(qi)中的(de)塵(chen)埃等汙穢物(wu)逐(zhu)漸積(ji)累並附著(zhe)在(zai)絕緣子(zi)表面，極(ji)易(yi)形(xing)成(cheng)汙穢層，由(you)於(yu)汙穢絕緣子(zi)的(de)絕緣強度(du)大(da)大降低(di)，引(yin)起絕緣子(zi)在(zai)正(zheng)常(chang)運行(xing)電壓(ya)下(xia)閃絡，造(zao)成(cheng)大面積(ji)停電，形(xing)成(cheng)汙閃事故。

汙閃事故不同於(yu)壹般單純的設備事故，它涉(she)及面廣(guang)、影(ying)響設備(bei)多(duo)且(qie)分(fen)散(san)。現(xian)階(jie)段我(wo)國(guo)電(dian)力(li)系(xi)統(tong)的(de)網架(jia)尚比較(jiao)薄弱(ruo)，多(duo)次(ci)汙(wu)閃跳閘(zha)即有(you)可(ke)能帶來(lai)整(zheng)個系(xi)統(tong)的(de)崩潰，造(zao)成(cheng)大面積(ji)、多(duo)設(she)備(bei)的(de)連(lian)鎖事故。

因此(ci)，在(zai)設(she)計建(jian)造(zao)電網(wang)系(xi)統(tong)前(qian)，應(ying)首(shou)先(xian)測(ce)定(ding)外絕緣子(zi)表面的(de)汙(wu)穢程(cheng)度(du)以(yi)確定(ding)所(suo)在(zai)區域(yu)的(de)汙穢等級(ji)，據(ju)此(ci)選(xuan)擇合(he)適的外絕緣爬(pa)電比距(ju)；對(dui)於(yu)已(yi)經投入(ru)使用(yong)的高壓輸電線(xian)路、發(fa)電廠(chang)、變(bian)電(dian)站(zhan)等場所(suo)的(de)外絕緣設(she)備(bei)，應當(dang)保(bao)證(zheng)每(mei)年(nian)至少檢(jian)測(ce)壹(yi)次其(qi)表面汙(wu)穢程(cheng)度(du)，以(yi)衡(heng)量(liang)是否可能引起(qi)汙(wu)閃事故，作為判斷(duan)外絕緣設(she)備(bei)是否需要清洗(xi)或更換的依據(ju)。通(tong)過以(yi)上(shang)途(tu)徑，使汙閃事故率降低(di)到(dao)可接(jie)受(shou)的(de)程(cheng)度(du)，最大限度(du)降低(di)汙(wu)閃事故對(dui)國(guo)民(min)經濟的影(ying)響。

由(you)於(yu)絕緣子(zi)表面的(de)汙(wu)穢包含溶(rong)性成(cheng)分(fen)和(he)不溶性成(cheng)分(fen)，其(qi)中灰密度(du)（NSDD）是指絕緣子(zi)表面層汙穢中的(de)不可溶成(cheng)分(fen)與表面積(ji)的(de)比值，不(bu)同(tong)於(yu)汙穢中的(de)可溶性成(cheng)分(fen)（用等值鹽密度(du)ESDD衡(heng)量(liang)），由(you)於(yu)汙穢度中鹽密和(he)灰密之(zhi)間的(de)關系(xi)在(zai)5—10倍(bei)分(fen)散(san)，相(xiang)同(tong)等值鹽密不(bu)同灰密的(de)絕緣子(zi)可(ke)能(neng)處(chu)於(yu)不同(tong)汙穢等級(ji)，故(gu)汙穢等級(ji)的(de)確認(ren)需(xu)要等值鹽密度(du)和(he)灰密度(du)組合(he)才(cai)可確(que)定(ding)，只有(you)進行(xing)灰密測(ce)量(liang)才(cai)能正(zheng)確地(di)確(que)定(ding)汙(wu)穢等級(ji)。

我(wo)公(gong)司根據(ju)電力(li)行(xing)業防(fang)治汙閃的(de)要求，結(jie)合(he)電網(wang)汙穢劃分(fen)等級(ji)新(xin)標(biao)準(zhun)，根(gen)據(ju)客戶(hu)需(xu)求(qiu)設(she)計研發(fa)了XXX 激(ji)光鹽密灰密測(ce)試(shi)儀(yi)，操作簡(jian)單、功(gong)能齊(qi)全(quan)，得到了行(xing)業客戶(hu)的(de)壹(yi)致(zhi)認(ren)可(ke)。

1.2  儀(yi)器介紹(shao)

HDYM-330C激光(guang)鹽密灰密測(ce)試(shi)儀(yi)采(cai)用(yong)新(xin)型檢(jian)測(ce)技(ji)術將灰密測(ce)試(shi)與鹽密測(ce)試(shi)合(he)二為壹，可(ke)同時檢(jian)測(ce)出(chu)被測(ce)絕緣子(zi)的(de)灰密度(du)和(he)鹽密度(du)，簡(jian)化了(le)絕緣子(zi)汙(wu)穢檢(jian)測(ce)的(de)流程(cheng)，非(fei)常(chang)適合(he)在(zai)巡(xun)檢(jian)現場(chang)和(he)實(shi)驗室使(shi)用。

1.3  依據(ju)標準(zhun)

XXX 激光(guang)鹽密灰密測(ce)試(shi)儀(yi)依據(ju)的相(xiang)關標(biao)準如(ru)下(xia)表所(suo)示：

1.4  判斷(duan)依(yi)據(ju)

Q/GDW1152.1-2014《電力(li)系(xi)統(tong)汙(wu)區分(fen)級(ji)與(yu)外絕緣選(xuan)擇標(biao)準》中規(gui)定(ding)汙(wu)穢等級(ji)與(yu)等值鹽密的(de)關系(xi)如(ru)下(xia)表：

1.5  術語(yu)解(jie)釋(shi)

密度(du)（NSDD）: 絕緣子(zi)單(dan)位絕緣表面上(shang)清(qing)洗的(de)非(fei)可(ke)溶殘(can)留(liu)物(wu)除(chu)以表面積(ji)，壹(yi)般表示為mg/ cm²。

附鹽密度(du)（SDD）: 人工塗覆(fu)於(yu)給定(ding)絕緣子(zi)表面（不(bu)包括金屬部(bu)件和(he)裝配(pei)材(cai)料）上(shang)的氯化鈉總(zong)量(liang)除(chu)以表面積(ji)，

壹般表示為mg/ cm²。

等值附鹽密度(du)（ESDD）: 絕緣子(zi)單(dan)位絕緣表面上(shang)的(de)等值附鹽量，壹(yi)般表示為mg/ cm²。

爬(pa)電距(ju)離(li) : 在(zai)兩個導(dao)電部(bu)分(fen)之(zhi)間，沿絕緣體(ti)表面的(de)最短距(ju)離(li)。

統壹(yi)爬(pa)電距(ju)離(li)（USCD）: 絕緣子(zi)的(de)爬(pa)電距(ju)離(li)L除(chu)以試(shi)驗電壓(ya)與                                               的(de)積(ji)，壹(yi)般表示為mm/kV。

汙穢層 : 由(you)鹽和(he)惰性材(cai)料組(zu)成(cheng)的絕緣子(zi)表面上(shang)的(de)導(dao)電電解(jie)層。

現場(chang)汙穢度等級(ji) : 將汙穢嚴重程(cheng)度(du)從非(fei)常(chang)輕到非(fei)常(chang)嚴重按SPS（ESDD/NSDD的(de)最大值）的(de)分(fen)級(ji)。

二、產品(pin)信息(xi)

2.1   主要特(te)點

Ø  內(nei)置測(ce)試(shi)專用(yong)測(ce)試(shi)軟(ruan)件，鹽密灰密壹(yi)體化(hua)完(wan)成(cheng)測(ce)試(shi)；

Ø  嵌(qian)入式(shi)操作，直(zhi)觀(guan)快(kuai)捷的(de)人機交互(hu)界(jie)面，參(can)數可(ke)靈活(huo)設置；

Ø  全(quan)自動壹體(ti)化(hua)燒(shao)杯式(shi)測(ce)試(shi)方(fang)案，按要求配(pei)置好溶(rong)液(ye)後，采(cai)用(yong)人工攪拌的(de)方(fang)式(shi)，並插入專用(yong)電極采(cai)集信號(hao)；

Ø  測(ce)試(shi)完(wan)成(cheng)後，請分(fen)別(bie)將2支電(dian)極用(yong)蒸(zheng)餾(liu)水反復(fu)清(qing)洗3次(ci)，並(bing)擦幹保(bao)存(cun)；

Ø  便攜式(shi)設計，便於(yu)現場(chang)測(ce)試(shi)或實(shi)驗室使(shi)用；

Ø  采(cai)用(yong)激(ji)光(guang)變(bian)頻(pin)透(tou)射原(yuan)理(li)，實(shi)現灰密直(zhi)接(jie)測(ce)試(shi)，無需過濾、烘幹(gan)稱量；

Ø  智能(neng)化(hua)數據(ju)分(fen)析，測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)多(duo)種(zhong)輸出模式(shi)，包括直(zhi)讀(du)測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)，打(da)印(yin)報表，通(tong)過USB接(jie)口(kou)直(zhi)接(jie)導(dao)出測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)到(dao)U盤(pan)；

Ø  儀(yi)器自帶微(wei)型打(da)印(yin)機，直(zhi)接(jie)打(da)印(yin)測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)。

技(ji)術指標(biao)