直(zhi)流(liu)耐壓(ya)或泄漏(lou)試驗(yan)時(shi)試驗(yan)變壓(ya)器的(de)接(jie)線(xian)方法

直流(liu)耐壓(ya)或(huo)泄(xie)漏(lou)試驗(yan)時(shi)試驗(yan)變壓(ya)器的(de)接(jie)線(xian)方法

試驗(yan)變壓(ya)器在做被(bei)試品的(de)直流(liu)耐(nai)壓(ya)或泄漏(lou)試驗(yan)時(shi)接(jie)線(xian)原(yuan)圖如圖(tu)7。

註:此試驗(yan)應先(xian)抽(chou)出(chu)短路桿“D"，圖7中(zhong)所(suo)示(shi)。

圖中(zhong)：VD-高(gao)矽(gui)堆(dui)R1-限(xian)流電(dian)阻(zu) C1-高(gao)壓(ya)濾(lv)波(bo)電(dian)容(rong)

RCF- 阻(zu)容(rong)分(fen)壓器 CX-被試品 uA-帶(dai)保(bao)護微安帶(dai)

泄露(lu)試驗(yan)中(zhong)限(xian)流電(dian)阻(zu)R1選(xuan)擇在(zai)額定(ding)輸出(chu)電(dian)壓(ya)時(shi)，輸出(chu)端(duan)短路電(dian)流(liu)不(bu)超(chao)過(guo)高(gao)壓(ya)矽(gui)堆(dui)的(de)最大(da)整(zheng)流電(dian)流(liu)。如電(dian)壓(ya)矽(gui)堆(dui)的(de)最大(da)整(zheng)流電(dian)流(liu)為(wei)100mA時(shi)用(yong)於(yu)60KV的(de)試驗(yan)裝(zhuang)置，限(xian)流電(dian)阻(zu)按R=60/0.1=600KΩ選擇。限(xian)流電(dian)阻(zu)還(hai)應具有(you)足夠(gou)的(de)容量和沿(yan)面放電(dian)距(ju)離(li)。高(gao)壓(ya)濾(lv)流(liu)電(dian)容(rong)C1壹般(ban)選(xuan)擇在(zai) 0.01- 0.1uF，當被(bei)試品的(de)電(dian)容(rong)量很大(da)時(shi)，C1可省(sheng)略(lve)不用(yong)。

泄漏(lou)試驗(yan)的(de)操作及註意事(shi)項(xiang)：

1)試驗(yan)前應先(xian)檢(jian)查(zha)被(bei)試品是(shi)否(fou)停(ting)電(dian)，接(jie)地(di)放電(dian)，壹切(qie)對外(wai)連線(xian)是(shi)否(fou)擦幹(gan)凈(jing)。要(yao)嚴防(fang)將(jiang)試驗(yan)電(dian)壓(ya)加(jia)到(dao)有(you)人(ren)工(gong)作的(de)部(bu)位(wei)上去(qu)。

2) 接(jie)好(hao)試驗(yan)裝(zhuang)置的(de)接(jie)線(xian)後(hou)，應復查無誤後(hou)才可加(jia)壓。應特別註意檢(jian)查(zha)高(gao)壓(ya)設(she)備(bei)及引線(xian)與地(di)、與操(cao)作人員工安全距離(li)，被試品的(de)外(wai)殼是(shi)否(fou)可靠接(jie)地(di)，要(yao)按安全規程(cheng)中(zhong)所(suo)規(gui)定(ding)的(de)內容(rong)進(jin)行試驗(yan)。

3) 對於(yu)大(da)電(dian)容(rong)量設(she)備(bei)應緩慢(man)升(sheng)壓(ya)，防(fang)止被(bei)試品的(de)充電(dian)電(dian)流(liu)燒(shao)壞微安表(biao)。必(bi)要(yao)時(shi)應分級加(jia)壓，分(fen)別(bie)讀(du)取各(ge)級電(dian)壓(ya)下(xia)微安表(biao)的(de)穩定讀(du)數。

4 試驗(yan)過(guo)程，應密切(qie)監視(shi)被試品、試驗(yan)裝(zhuang)置、微安表(biao)，壹旦(dan)發(fa)生擊穿、閃爍(shuo)等異常(chang)現象(xiang)應立即降壓(ya)，切(qie)斷(duan)電(dian)源(yuan)，並(bing)查(zha)明(ming)原因，詳(xiang)細記錄。

5)試驗(yan)完(wan)畢(bi)，降壓(ya)，切(qie)斷(duan)電(dian)源(yuan)後(hou)應將(jiang)被(bei)試品及試驗(yan)裝(zhuang)置本身充分(fen)放電(dian)。